上周去广州电子5所做3C测试，测试整机辐射的时候10个点超出指标，吓了一跳，拿到结果分析一下，基本上是晶振频率的倍频出来的，CPU晶振32M，在64M，96M，160M处都有不同程度的超标，最高达到9个dB，拆下板子看了一下，晶振之间的负载电阻没加，晶振到IC之间也没有串电阻或者磁珠，再拿示波器量了下波形，震荡幅度峰峰值高达5V，这个不出问题才怪呢。
        于是试验了两种方法：
1，抑制谐波辐射，通过串联磁珠（铁氧体材料，利用他的高频能量在上面转化为热能特性，取决于它的电阻特性），使在谐波频率处通过磁珠转化为热量消耗掉，经试验这个效果不大，而且谐波很多，可能也会顾此失彼。
2，减小震荡幅度，经试验晶振两脚之间负载电阻越小，晶振幅度越小，于是慢慢往下减电阻值，同时到IC脚之间也串100欧姆电阻，负载电阻减到1K的时候，震荡幅度大概1.5v左右，测量辐射有5dB的余量，看来就是这里的问题了。不过1k不知道会不会一起其他的问题，目前震荡是没有问题的，IC规格书写的是1.5K电阻，往后再看看有没有其他问题。

     EMI是通过di/dt，或者dv/dt往外辐射电磁波，所以频率高（幅度高）的话越容易往外辐射，在晶振处出现的emi超标基本要先查两点，一个是震荡幅度是否过大，另一个是是否抑制谐波，这两点是通过这次事件总结出来的方法。